Dispositifs et régulation de puissance

Le module mod. C11/EV permet d’effectuer l’analyse théorique et l’expérimentation concernant les principaux thèmes suivants. Analyse du fonctionnement des dispositifs de puissance les plus courants:

• • Diodes standard, à rétablissement rapide, à barrière de Schottky
  • SCR, TRIAC, DIAC
  • Transistors bipolaires (BJT) de puissance
  • Transistors MOSFET de puissance
  • Transistors bipolaires à grille isolée (Insulated Gate Bipolar Transistor: IGBT)
• Interface de commande pour dispositifs de puissance
• Générateur MIL (modulation d’impulsions en largeur).
• Détection des formes d’onde dans les circuits avec diodes standard et à barrière de Schottky
• Détection des formes d’onde dans les circuits à commutation avec diodes à rétablissement rapide
• Détection des formes d’onde d’un amplificateur à contrôle de phase, SCR et TRIAC avec charge résistive
• Détection des formes d’onde dans un circuit DIAC
• Détection des formes d’onde d’un amplificateur linéaire à BJT de puissance avec charge sur l’émetteur
• Détection des formes d’onde d’un amplificateur MIL à transistors bipolaires avec charge résistive
• Détection des formes d’onde d’un amplificateur MIL à transistors MOSFET avec charge résistive
• Détection des formes d’onde d’un amplificateur MIL à transistors IGBT avec charge résistive