Expériences de Haynes et Shockley

F-HS/EV

L’expérience Haynes-Shockley permet de mesurer la mobilité de dérive des électrons et des trous dans les semiconducteurs. C’est une expérience d’une grande valeur éducative, car elle permet la visualisation directe des phénomènes de dérive, diffusion et recombinaison des porteurs en excès.