Transistors et polarisations

MCM4/EV

Le module MCM4/EV analyse les paramètres et les techniques de polarisation des dispositifs à semi-conducteur. Il est utilisé dans le Système d’Électronique Pratique Interactive IPES et fonctionne à la fois en modalité standard, avec interrupteurs à bord et l’aide du manuel papier, et en modalité informatisée utilisant la version logiciel du manuel pour introduire automatiquement les pannes, permettant ainsi le déroulement de la leçon même sans l’assistance du professeur. Les composants électriques prémontés sont subdivisés en différentes zones des circuits et peuvent être interconnectés et modifiés au moyen de cavaliers et câbles.

Programme de formation

Transistors NPN et PNP: fonctionnement et équations fondamentales
Gain statique du transistor
Courbes caractéristiques: relation entre les courants de collecteur et d’émetteur
Transistor à effet de champ JFET: courbes caractéristiques, caractéristique mutuelle et transconductance
Transistor MOSFET: MOSFET Depletion, MOSFET Enhancement, comparaison entre MOSFET et JFET
Circuit amplificateur avec JFET, générateur de courant constant et circuit amplificateur pour petits signaux
Composants optoélectroniques: photorésistance, photodiode, phototransistors, caractéristique résistance – luminosité et courant – luminosité
Transducteurs de température: caractéristique résistance – température
Connexion des transistors: amplificateur et circuit à émetteur commun, à base commune
Polarisation du transistor: circuit et caractéristique de sortie, détermination des composants de polarisation avec la méthode analytique et la méthode graphique
Zones de fonctionnement du transistor
Circuit de polarisation avec une seule alimentation
Classes de fonctionnement: classe A, B, C
Stabilisation du point de repos: effets thermiques, circuit de stabilisation avec résistance d’émetteur et avec résistance collecteur-base
Paramètres de stabilité, influence de VBE, influence du gain ß, effet de la stabilisation sur les composantes de signal